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IXTP1N80P

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTP1N80P
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Polar™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 14Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 9nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 250pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 69 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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