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IXTP1N120P

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTP1N120P
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PolarVHV™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 63W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 17.6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 550pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 90 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.70 $2.65 $2.59
Minimale: 1

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