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IXTF2N300P3

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTF2N300P3
Beschreibung: MOSFET N-CH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Polar™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall ISOPLUSi5-Pak™
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 21Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 160W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket ISOPLUS i4-PAC™
Gate Charge (Qg) (Max.) 73nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 3000V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1890pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$39.52 $38.73 $37.96
Minimale: 1

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