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IXTD3N60P-2J

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTD3N60P-2J
Beschreibung: MOSFET N-CH 600
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PolarHV™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall Die
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.9Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 70W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket Die
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 411pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 93 pcs

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