IXTD3N60P-2J
Hersteller: | IXYS |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXTD3N60P-2J |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | PolarHV™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Bulk |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.9Ohm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 70W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | Die |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 9.8nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 411pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 93 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1