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IXTD1R4N60P 11
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IXTD1R4N60P 11 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | PolarHV™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 25µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 9Ohm @ 700mA, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 50W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Die |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 5.2nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 140pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 91 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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