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IXTC200N10T

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTC200N10T
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMV™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall ISOPLUS220™
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.3mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 160W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket ISOPLUS220™
Gate Charge (Qg) (Max.) 152nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 9400pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 101A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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