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IXTA60N20T

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTA60N20T
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 60A TO-263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Trench™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -
Rds On (Max) bei Id, Vgs 40mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 500W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263 (IXTA)
Gate Charge (Qg) (Max.) 73nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4530pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 59 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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