Image is for reference only , details as Specifications

IXTA3N110

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTA3N110
Beschreibung: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263 (IXTA)
Gate Charge (Qg) (Max.) 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1350pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 81 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.49 $3.42 $3.35
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
$3.47
IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
$3.47
IXFP10N80P
IXYS
$3.46
IXFA36N30P3
IXYS
$3.45
IXFQ24N50P2
IXYS
$3.44