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IXTA3N100D2

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTA3N100D2
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Depletion Mode
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Verlustleistung (Max.) 125W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263 (IXTA)
Gate Charge (Qg) (Max.) 37.5nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1020pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) -

Auf Lager 55 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.79 $3.71 $3.64
Minimale: 1

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