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IXTA1R4N100P

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTA1R4N100P
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Polar™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 63W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263 (IXTA)
Gate Charge (Qg) (Max.) 17.8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 450pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.00 $1.96 $1.92
Minimale: 1

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