IXTA18P10T
Hersteller: | IXYS |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXTA18P10T |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchP™ |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±15V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 120mOhm @ 9A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 83W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-263 (IXTA) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 39nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2100pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 73 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.70 | $1.67 | $1.63 |
Minimale: 1