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IXTA182N055T7

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTA182N055T7
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 182A TO-263-7
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMV™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 360W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263-7 (IXTA..7)
Gate Charge (Qg) (Max.) 114nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4850pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 182A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 80 pcs

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