IXTA110N12T2
Hersteller: | IXYS |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXTA110N12T2 |
Beschreibung: | 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchT2™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 14mOhm @ 55A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 517W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-263 (IXTA) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 120nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 6570pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 110A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 38 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$4.48 | $4.39 | $4.30 |
Minimale: 1