Image is for reference only , details as Specifications

IXTA110N055T2

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXTA110N055T2
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchT2™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.6mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 180W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263 (IXTA)
Gate Charge (Qg) (Max.) 57nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3060pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 20 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.12 $2.08 $2.04
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

TK72E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.11
STH290N4F6-2AG
STMicroelectronics
$0
IPB65R150CFDATMA1
Infineon Technologies
$0
IPP057N08N3GXKSA1
Infineon Technologies
$1.84
SUM80090E-GE3
Vishay / Siliconix
$0