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IXST35N120B

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IXST35N120B
Beschreibung: IGBT 1200V 70A 300W TO268
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ PT
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 120nC
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 300W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Testbedingung 960V, 35A, 5Ohm, 15V
Basis-Teilenummer IXS*35N120
Schalten der Energie 5mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 36ns/160ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-268
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.6V @ 15V, 35A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 70A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 140A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 62 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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