Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
IXSQ20N60B2D1
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | IXSQ20N60B2D1 |
| Beschreibung: | IGBT 600V 35A 190W TO3P |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Verpackung | Bulk |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 33nC |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 190W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Testbedingung | - |
| Basis-Teilenummer | IXS*20N60 |
| Schalten der Energie | 380µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 30ns/116ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-3P |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 16A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 35A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 600V |
Auf Lager 61 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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