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IXFV22N60P

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFV22N60P
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™, PolarHT™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3, Short Tab
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 350mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (Max.) 400W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PLUS220
Gate Charge (Qg) (Max.) 58nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3600pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 98 pcs

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