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IXFT6N100Q
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IXFT6N100Q |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.5mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.9Ohm @ 3A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 180W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-268 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 48nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2200pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 57 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $9.02 | $8.84 | $8.66 |
Minimale: 1
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