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IXFT60N65X2HV

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFT60N65X2HV
Beschreibung: MOSFET N-CH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 52mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 780W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-268HV
Gate Charge (Qg) (Max.) 108nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6300pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 20 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$9.28 $9.09 $8.91
Minimale: 1

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