IXFT26N100XHV
Hersteller: | IXYS |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXFT26N100XHV |
Beschreibung: | MOSFET 1000V 26A ULTRA JUNCTION |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HiPerFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 4mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 320mOhm @ 500mA, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 860mW (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-268HV (IXFT) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 113nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3290pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 26A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 30 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$14.08 | $13.80 | $13.52 |
Minimale: 1