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IXFT26N100XHV

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFT26N100XHV
Beschreibung: MOSFET 1000V 26A ULTRA JUNCTION
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 4mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 860mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TO-268HV (IXFT)
Gate Charge (Qg) (Max.) 113nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3290pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 26A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 30 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$14.08 $13.80 $13.52
Minimale: 1

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