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IXFN120N65X2
| Hersteller: | IXYS |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | IXFN120N65X2 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | IXYS |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HiPerFET™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 24mOhm @ 54A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 890W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-227B |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 225nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 15500pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 108A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 14 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $26.98 | $26.44 | $25.91 |
Minimale: 1
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