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IXFN100N10S1

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFN100N10S1
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 360W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max.) 180nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 4500pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 79 pcs

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