IXFH9N80Q
Hersteller: | IXYS |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXFH9N80Q |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 9A TO-247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HiPerFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.1Ohm @ 500mA, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 180W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247AD (IXFH) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 56nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2200pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 64 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$7.73 | $7.58 | $7.42 |
Minimale: 1