IXFH66N20Q
Hersteller: | IXYS |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXFH66N20Q |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HiPerFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 40mOhm @ 33A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 400W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247AD (IXFH) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 105nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3700pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 66A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 94 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1