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IXFH22N65X2

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFH22N65X2
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 1.5mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 160mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (Max.) 390W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Gate Charge (Qg) (Max.) 38nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2310pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.96 $3.88 $3.80
Minimale: 1

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