IXFH150N17T2
Hersteller: | IXYS |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXFH150N17T2 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 175V 150A TO-247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 12mOhm @ 75A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 880W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247AD (IXFH) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 233nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 175V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 14600pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 150A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 55 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$5.70 | $5.59 | $5.47 |
Minimale: 1