IXFB50N80Q2
Hersteller: | IXYS |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | IXFB50N80Q2 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | IXYS |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | HiPerFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 160mOhm @ 500mA, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1135W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | PLUS264™ |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 260nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 7200pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 98 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$31.47 | $30.84 | $30.22 |
Minimale: 1