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IXFB110N60P3

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFB110N60P3
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™, Polar3™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 56mOhm @ 55A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1890W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PLUS264™
Gate Charge (Qg) (Max.) 245nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 18000pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 21 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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