Image is for reference only , details as Specifications

IXFA10N80P

Hersteller: IXYS
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFA10N80P
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerFET™, PolarHT™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.1Ohm @ 5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 300W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263 (IXFA)
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2050pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 23 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.99 $2.93 $2.87
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FCH130N60
ON Semiconductor
$2.98
SIHB24N65E-E3
Vishay / Siliconix
$2.98
IXTH12N65X2
IXYS
$2.97
IPB025N10N3GE8187ATMA1
Infineon Technologies
$2.97
TK19A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.97