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IXFT6N100F

Hersteller: IXYS-RF
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IXFT6N100F
Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IXYS-RF
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HiPerRF™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.9Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 180W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-268 (IXFT)
Gate Charge (Qg) (Max.) 54nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1770pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 188 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$9.54 $9.35 $9.16
Minimale: 1

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