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IS61QDP2B21M18A-333M3L

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: IS61QDP2B21M18A-333M3L
Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Synchronous, QUADP
Zugriffszeit 8.4ns
Speichergröße 18Mb (1M x 18)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 165-LBGA
Taktfrequenz 333MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.71V ~ 1.89V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 165-LFBGA (15x17)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$41.11 $40.29 $39.48
Minimale: 1

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