IS61NVP51236-200B3-TR
Hersteller: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
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Produktkategorie: | Memory |
Datenblatt: | IS61NVP51236-200B3-TR |
Beschreibung: | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Produktkategorie | Memory |
Serie | - |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
Zugriffszeit | 3.1ns |
Speichergröße | 18Mb (512K x 36) |
Speichertyp | Volatile |
Teilstatus | Active |
Speicherformat | SRAM |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 165-TBGA |
Taktfrequenz | 200MHz |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannung - Versorgung | 2.375V ~ 2.625V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Lieferanten-Gerätepaket | 165-TFBGA (13x15) |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Auf Lager 78 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1