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IS61NVP51236-200B3
| Hersteller: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | IS61NVP51236-200B3 |
| Beschreibung: | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Technologie | SRAM - Synchronous, SDR |
| Zugriffszeit | 3.1ns |
| Speichergröße | 18Mb (512K x 36) |
| Speichertyp | Volatile |
| Teilstatus | Active |
| Speicherformat | SRAM |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 165-TBGA |
| Taktfrequenz | 200MHz |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannung - Versorgung | 2.375V ~ 2.625V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 165-TFBGA (13x15) |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Auf Lager 57 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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