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IS61NVP102418-200B3I-TR

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: IS61NVP102418-200B3I-TR
Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SRAM - Synchronous, SDR
Zugriffszeit 3.1ns
Speichergröße 18Mb (1M x 18)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 165-TBGA
Taktfrequenz 200MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 165-TFBGA (13x15)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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