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IS61NVF51236-6.5B3I

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: IS61NVF51236-6.5B3I
Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Synchronous, SDR
Zugriffszeit 6.5ns
Speichergröße 18Mb (512K x 36)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 165-TBGA
Taktfrequenz 133MHz
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 165-TFBGA (13x15)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 99 pcs

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Minimale: 1

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