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70V3579S6BCI

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: 70V3579S6BCI
Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Zugriffszeit 6ns
Speichergröße 1.125Mb (32K x 36)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 256-LBGA
Basis-Teilenummer IDT70V3579
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 256-CABGA (17x17)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 86 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$72.16 $70.72 $69.30
Minimale: 1

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