Image is for reference only , details as Specifications

70V3579S6BC8

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: 70V3579S6BC8
Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Zugriffszeit 6ns
Speichergröße 1.125Mb (32K x 36)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 256-LBGA
Basis-Teilenummer IDT70V3579
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 256-CABGA (17x17)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 98 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$52.00 $50.96 $49.94
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

MT49H16M36SJ-18:B TR
Micron Technology Inc.
$51.09
7008L15PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
$51.06
7027L15PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
$51.06
7008L20PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
$51.06
MT44K32M18RB-093E:B
Micron Technology Inc.
$51.02