Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

70V3579S6BC

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: 70V3579S6BC
Beschreibung: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Zugriffszeit 6ns
Speichergröße 1.125Mb (32K x 36)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 256-LBGA
Basis-Teilenummer IDT70V3579
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 256-CABGA (17x17)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 93 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$65.61 $64.30 $63.01
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

7006S55G
IDT, Integrated Device Technology Inc
$64.64
7006S35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
$64.64
7006S20G
IDT, Integrated Device Technology Inc
$64.64
7006S17G
IDT, Integrated Device Technology Inc
$64.64
7052S35G
IDT, Integrated Device Technology Inc
$64.6