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70T3339S200BCG

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: 70T3339S200BCG
Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Zugriffszeit 3.4ns
Speichergröße 9Mb (512K x 18)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 256-LBGA
Taktfrequenz 200MHz
Basis-Teilenummer IDT70T3339
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.4V ~ 2.6V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 256-CABGA (17x17)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$154.66 $151.57 $148.54
Minimale: 1

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