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HTNFET-D
| Hersteller: | Honeywell Aerospace |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | HTNFET-D |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Honeywell Aerospace |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | HTMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Bulk |
| Vgs (Max.) | 10V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 8-CDIP Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| Verlustleistung (Max.) | 50W (Tj) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-CDIP-EP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 4.3nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 290pF @ 28V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Auf Lager 98 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $391.50 | $383.67 | $376.00 |
Minimale: 1
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