Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
GSID200A170S3B1
| Hersteller: | Global Power Technologies Group |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | GSID200A170S3B1 |
| Beschreibung: | SILICON IGBT MODULES |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Standard |
| Serie | Amp+™ |
| IGBT-Typ | - |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1630W |
| Konfiguration | 2 Independent |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | No |
| Paket / Fall | D-3 Module |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Lieferanten-Gerätepaket | D3 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 400A |
| Eingangskapazität (Cies) | 26nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 57 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $141.47 | $138.64 | $135.87 |
Minimale: 1
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