Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
GSID100A120T2C1
| Hersteller: | Global Power Technologies Group |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Modules |
| Datenblatt: | GSID100A120T2C1 |
| Beschreibung: | SILICON IGBT MODULES |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Global Power Technologies Group |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Modules |
| Eingabe | Three Phase Bridge Rectifier |
| Serie | Amp+™ |
| IGBT-Typ | - |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 640W |
| Konfiguration | Three Phase Inverter |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Paket / Fall | Module |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C |
| Lieferanten-Gerätepaket | Module |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 200A |
| Eingangskapazität (Cies) | 13.7nF @ 25V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 79 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $122.66 | $120.21 | $117.80 |
Minimale: 1
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