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GPA030A135MN-FDR

Hersteller: Global Power Technologies Group
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: GPA030A135MN-FDR
Beschreibung: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Global Power Technologies Group
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 300nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 329W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3
Testbedingung 600V, 30A, 5Ohm, 15V
Schalten der Energie 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 30ns/145ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PN
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr) 450ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 90A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1350V

Auf Lager 98 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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