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GPA020A120MN-FD

Hersteller: Global Power Technologies Group
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: GPA020A120MN-FD
Beschreibung: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Global Power Technologies Group
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 210nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 223W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3
Testbedingung 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Schalten der Energie 2.8mJ (on), 480µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 30ns/150ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PN
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr) 425ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 40A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 60A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 61 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.60 $1.57 $1.54
Minimale: 1

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