Image is for reference only , details as Specifications

GP2M004A065HG

Hersteller: Global Power Technologies Group
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: GP2M004A065HG
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Global Power Technologies Group
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.4Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 98.4W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 642pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

GP2M004A065CG
Global Power Technologies Group
$0
GP2M004A060HG
Global Power Technologies Group
$0
GP2M004A060FG
Global Power Technologies Group
$0
GP2M004A060CG
Global Power Technologies Group
$0
GP2M002A065PG
Global Power Technologies Group
$0