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GP1M008A025FG

Hersteller: Global Power Technologies Group
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: GP1M008A025FG
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Global Power Technologies Group
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 600mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 17.3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220F
Gate Charge (Qg) (Max.) 8.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 423pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 68 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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