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GP1M005A050PH

Hersteller: Global Power Technologies Group
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: GP1M005A050PH
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Global Power Technologies Group
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.65Ohm @ 2.25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 92.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 627pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 97 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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