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GD25S512MDBIGY

Hersteller: GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: GD25S512MDBIGY
Beschreibung: NOR FLASH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie FLASH - NOR
Speichergröße 512Mb (64M x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 24-TBGA
Taktfrequenz 104MHz
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 24-TFBGA (6x8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs, 2.4ms

Auf Lager 53 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.56 $4.47 $4.38
Minimale: 1

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