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MURTA600120R
| Hersteller: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Datenblatt: | MURTA600120R |
| Beschreibung: | DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Arrays |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Lieferanten-Gerätepaket | Three Tower |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 25µA @ 1200V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 2.6V @ 300A |
| Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) | 300A |
Auf Lager 69 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $139.17 | $136.39 | $133.66 |
Minimale: 1
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