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MURTA300120R

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Arrays
Datenblatt: MURTA300120R
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller GeneSiC Semiconductor
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Arrays
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Bulk
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall Three Tower
Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode
Lieferanten-Gerätepaket Three Tower
Strom - Reverse Leakage - Vr 25µA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 2.6V @ 150A
Aktuell - Durchschnittlich rektifiziert (Io) (pro Diode) 150A

Auf Lager 58 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$109.39 $107.20 $105.06
Minimale: 1

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